現(xiàn)在我們所說的真空并不是指空間內(nèi)沒有任何物質(zhì)，而是指在一個(gè)既定的空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)，我們把這種稀薄的狀態(tài)稱為真空。現(xiàn)在的真空鍍膜技術(shù)是在真空中把金屬、合金進(jìn)行蒸發(fā)、濺射使其沉積在目標(biāo)物體上。
 
    在當(dāng)今電子行業(yè)，很多的電子元器件都要使用真空鍍膜工藝，雖然我國(guó)的真空鍍膜技術(shù)起步較晚，但發(fā)展的十分迅速。真空鍍膜已經(jīng)成為電子元器件制造的一項(xiàng)不可或缺的技術(shù)。目前的真空鍍膜技術(shù)主要分為真空蒸鍍、磁控濺射鍍膜、離子鍍。
 
真空蒸鍍的歷史
    1857年Michael Faraday最早提出基本原理，而后、1930年代由于油擴(kuò)散式真空泵實(shí)用化、蒸鍍主要用于制作鏡片防反射膜。第二次世界大戰(zhàn)時(shí)，其他的光學(xué)機(jī)器對(duì)材料的需求提高，真空蒸鍍也因此快速發(fā)展。
 
真空蒸鍍的原理
    在真空狀態(tài)下，加熱蒸發(fā)容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉積在目標(biāo)物體表面，形成固態(tài)薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為:抵抗加熱、電子束、高周波誘導(dǎo)、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產(chǎn)生光學(xué)特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2等氧化物與氟化物。蒸鍍除金屬外，樹脂與玻璃也可以使用、近年來連紙也變成可蒸鍍。如圖1。
蒸鍍材料
    主要的金屬蒸鍍材料如下表。
蒸發(fā)鍍膜的優(yōu)缺點(diǎn)
    優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備簡(jiǎn)單、容易操作；成膜的速率快，效率高。
    缺點(diǎn)：薄膜的厚度均勻性不易控制，蒸發(fā)容器有污染的隱患，工藝重復(fù)性不好，附著力不高。
 
磁控濺射鍍膜的歷史
    磁控濺射技術(shù)作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍和成功地應(yīng)用于許多方面，特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理領(lǐng)域中,用于薄膜沉積和表面覆蓋層制備。1852年Grove首次描述濺射這種物理現(xiàn)象,20世紀(jì)40年代濺射技術(shù)作為一種沉積鍍膜方法開始得到應(yīng)用和發(fā)展。60年代后隨著半導(dǎo)體工業(yè)的迅速崛起,這種技術(shù)在集成電路生產(chǎn)工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和廣泛的應(yīng)用。磁控濺射技術(shù)出現(xiàn)和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術(shù)應(yīng)用的領(lǐng)域得到極大地?cái)U(kuò)展,逐步成為制造許多產(chǎn)品的一種常用手段,并在最近十幾年,發(fā)展出一系列新的濺射技術(shù)。
 
磁控濺射鍍膜的原理
    電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場(chǎng)作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場(chǎng)影響，被束縛在靶面的等離子體區(qū)域，二次電子在磁場(chǎng)作用下繞靶面做圓周運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。如圖2 磁控濺射的靶材
    靶材的材質(zhì)主要有金屬靶材，金屬氧化物靶材等。依據(jù)目標(biāo)靶座的形狀和大小進(jìn)行加工。如圖3。 磁控濺射優(yōu)缺點(diǎn)
    優(yōu)點(diǎn)：工藝重復(fù)性好，薄膜純度高，膜厚均勻，附著力好。
    缺點(diǎn)：設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，濺射靶材一旦穿透就會(huì)導(dǎo)致整塊靶材的報(bào)廢，所以靶材的利用率低。
 
離子鍍的歷史
    真空離子鍍膜技術(shù)是近幾十年才發(fā)展起來的一種新的鍍膜技術(shù)。在離子鍍技術(shù)興起的40多年來取得了巨大的進(jìn)步，我國(guó)也有將近30多年的離子鍍研究進(jìn)程。
 
離子鍍的原理
    蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽極，工件接陰極，當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于真空罩內(nèi)充有惰性氬氣，在放電電場(chǎng)作用下部分氬氣被電離，從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負(fù)高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發(fā)源交流電源，蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā)，進(jìn)入輝光放電區(qū)并被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子，在陰極吸引下，隨同氬離子一同沖向工件，當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數(shù)量時(shí)，則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。如圖4 離子鍍的優(yōu)缺點(diǎn)
    優(yōu)點(diǎn)：膜層附著力好，膜層致密，具有繞度性能，能在形狀復(fù)雜的零件表面鍍膜。
    缺點(diǎn)：離子鍍的應(yīng)用范圍不廣；膜與基體間存在較寬的過渡界面。會(huì)有氣體分子吸附。