近來，我們南山電子收到很多詢問是關(guān)于英飛凌MOS管替換和英飛凌IGBT替換的，例如：你們國產(chǎn)新潔能MOS管的哪一款可以替換英飛凌MOS管？英飛凌coolmos可以用什么替換？英飛凌IGBT可以用國產(chǎn)IGBT替換嗎？下面就為大家一一解答：其實很多款國產(chǎn)MOS管都可以按照參數(shù)替換英飛凌MOS管，主要根據(jù)電壓，電流等參數(shù)讓工程師判斷下即可，不可否認(rèn)的是英飛凌MOS管和英飛凌IGBT確實在技術(shù)方面比國產(chǎn)好一些，但是也不要盲目只相信進(jìn)口，例如新潔能MOS管已具備屏蔽柵功率和超結(jié)功率MOSFET特色工藝技術(shù)，其部分產(chǎn)品的參數(shù)性能與送樣表現(xiàn)，可以與英飛凌MOS管相差無幾。而且近年來MOSFET國產(chǎn)替代的需求比較明顯，國產(chǎn)替代已經(jīng)進(jìn)入了高速增長期，越來越多的中小型客戶已經(jīng)完成了高比例的國產(chǎn)化，在工業(yè)領(lǐng)域以及部分細(xì)分領(lǐng)域，國產(chǎn)化率已經(jīng)達(dá)到50%以上。
曾有客戶問英飛凌coolmos可以用什么替換？新潔能的超結(jié)功率MOSFET就可以替換，舉個例子，在很早前，新潔能就已在鋰電池充電器中做了實驗，輸出為48V，2A的充電器。效率可達(dá)90%。基本參數(shù)為650V，20A，Rdson160毫歐姆。可以使用S-J功率MOS管替代英飛凌MOS管，新潔能的超結(jié)MOSFET系列目前推出的產(chǎn)品包含500V，600V，650V，700V，800V普通系列，以及針對全橋，板橋，LLC諧振開關(guān)等應(yīng)用，優(yōu)化體二極管特性的500V，650VTF系列；同時為您提供TO-263，TO-252，TO-220，TO-220F，TO-247在內(nèi)的多款封裝選擇。

那么英飛凌IGBT可以用國產(chǎn)IGBT替換嗎？當(dāng)然是可以的，相對來說，英飛凌IGBT應(yīng)用范圍更廣，隨著以軌道交通為代表的新興市場和新能源車行業(yè)的興起，將進(jìn)一步為IGBT模塊等功率器件創(chuàng)造很大的增長空間。而且充電樁、變流器、逆變流器等配套設(shè)施，尤其需要IGBT作為控制單元。在經(jīng)過貿(mào)易戰(zhàn)的洗禮后，越來越多的中下游廠商主動開始嘗試接受國產(chǎn)IGBT，這就給了國產(chǎn)IGBT模塊更多的試錯機會，從而促進(jìn)了國產(chǎn)IGBT的技術(shù)迭代，讓國產(chǎn)IGBT進(jìn)入了一個良性的迭代循環(huán)的過程。
新潔能IGBT基于溝槽電場截止型IGBT技術(shù)（Trench Field Stop）理論，進(jìn)一步優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，采用了先進(jìn)超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process），大幅提高了器件的功率密度，顯著改善了動態(tài)、靜態(tài)性能。相比上一代新潔能IGBT，新一代（Trench FS II）新潔能IGBT模塊面積更小，芯片厚度更薄；導(dǎo)通壓降（VCEsat）降低約0.3V，開關(guān)損耗降低20%以上；器件可耐工作溫度更高，使用壽命更長；且維持了較強的短路能力、較高的參數(shù)一致性；綜合性能達(dá)到英飛凌IGBT的一般水平。
其實很多企業(yè)老板與多數(shù)工程的關(guān)注點不同，造成了多數(shù)企業(yè)老板有節(jié)省成本的意向，但落地時工程師不能積極配合的局面。很多工程由于對新品牌的不熟悉度和不信任度，不愿意輕易增加自己工作量的同時還去冒險做替換，英飛凌MOS管和英飛凌IGBT雖然好，但是出于成本目的，為何不換一款國產(chǎn)性能相差無幾，價格卻有優(yōu)勢的產(chǎn)品呢？說實話，新潔能MOS管也算老牌國產(chǎn)客戶認(rèn)知度較高的品牌，而我們南山電子老客戶們都知道，風(fēng)華阻容感十七年老代理，長電長晶二三極管MOS管代理商，愛普生晶振核心代理商，2020年為了滿足更多客戶的需求，也為了擴寬我們的產(chǎn)品線，我們與新潔能深度合作，成為新潔能MOS管經(jīng)銷商，為英飛凌MOS管和英飛凌IGBT替換選型方面提供技術(shù)支持。