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新潔能 NCE30P12S：適用于 PWM 和負載開關的卓越功率器件

發布時間：2025-05-27 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：440

在現代電子設備中，功率 MOSFET 是實現高效功率轉換和控制的關鍵元件。新潔能推出的增強型功率 MOSFET，憑借其優質性能，成為眾多工程師的理想選擇。今天就來了解下這款新潔能 NCE30P12S：適用于 PWM 和負載開關的卓越功率器件。

NCE30P12S 采用先進的溝槽技術，提供出色的導通電阻（RDS(ON)）和低柵極電荷（Qg），同時支持低至 4.5V 的柵極電壓操作。這使得該器件在高頻開關應用中表現出色，特別適合 PWM 應用和負載開關。

高耐壓與大電流處理能力

NCE30P12S 的漏源電壓（VDS）高達 -30V，能夠承受高電壓沖擊。連續漏極電流（ID）可達 -12A，滿足高功率應用需求。這使得 NCE30P12S 能夠在各種高功率場景中穩定運行，確保設備的可靠性和效率。

低導通電阻與低柵極電荷

在 VGS=-4.5V 時，RDS(ON) 小于 21mΩ；在 VGS=-10V 時，RDS(ON) 小于 13mΩ。低導通電阻顯著降低了功耗，提高了系統的整體效率。同時，低柵極電荷（Qg）減少了開關損耗，確保了在高頻應用中的快速響應。

高功率處理能力

NCE30P12S 支持高功率和大電流處理，適用于高功率應用。其高功率處理能力使其在 PWM 應用和負載開關中表現出色，能夠滿足各種高功率需求。

無鉛封裝與表面貼裝

NCE30P12S 采用環保的無鉛封裝，符合現代電子設備的環保要求。SOP-8 封裝形式適合表面貼裝工藝，提高了生產效率，同時減少了焊接過程中的復雜性。

應用場景

NCE30P12S 廣泛應用于 PWM 應用和負載開關。在 PWM 應用中，NCE30P12S 提供高效的功率轉換和控制，確保信號的快速、準確傳輸。在負載開關應用中，NCE30P12S 提供穩定的電流控制，確保負載的可靠切換。

技術參數

參數	符號	條件	最小值	典型值	最大值	單位
漏源擊穿電壓	BVDSS	VGS=0V, ID=-250μA	-30	-	-	V
零柵極電壓漏極電流	IDSS	VDS=-30V, VGS=0V	-	-	-1	μA
柵極-體漏漏電流	IGSS	VGS=±20V, VDS=0V	-	-	±100	nA
柵極閾值電壓	VGS(th)	VDS=VGS, ID=-250μA	-2.2	-1.5	-1	V
漏源導通電阻	RDS(ON)	VGS=-10V, ID=-10A	11.5	13	-	mΩ
漏源導通電阻	RDS(ON)	VGS=-4.5V, ID=-7A	15	21	-	mΩ
前向跨導	gFS	VDS=-10V, ID=-10A	-	20	-	S
輸入電容	Clss	VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz	-	2419	-	pF
輸出電容	Coss	-	318	-	-	pF
反向轉移電容	Crss	VDS=-15V, VGS=0V, F=1.0MHz	-	262	-	pF
開啟延遲時間	td(on)	VDD=-15V, ID=-10A, VGS=-10V, RGEN=1Ω	-	9	-	nS
開啟上升時間	tr	-	-	8	-	nS
關閉延遲時間	td(off)	-	-	28	-	nS
關閉下降時間	tf	-	-	10	-	nS
總柵極電荷	Qg	VDS=-15V, ID=-10A, VGS=-10V	-	44.4	-	nC
柵極-源極電荷	Qgs	-	-	4.6	-	nC
柵極-漏極電荷	Qgd	-	-	10	-	nC
整流器正向電流	IS	VGS=0V, IS=-12A	-	-	-12	A
整流器正向電壓	VSD	VGS=0V, IS=-12A	-	-1.2	-	V

性能優勢

NCE30P12S 的性能優勢使其在各種應用場景中都能提供卓越的性能。其低導通電阻和低柵極電荷確保了在高頻應用中的快速響應，而高功率處理能力則使其能夠滿足各種高功率需求。

新潔能 NCE30P12S P-Channel 增強型功率 MOSFET 憑借其卓越的性能和可靠性，成為 PWM 應用和負載開關的理想選擇。無論是在 PWM 控制還是負載切換中，NCE30P12S 都能提供高效、穩定和可靠的性能。選擇新潔能 NCE30P12S，開啟高效、穩定和可靠的功率管理新時代。