最新上架
更多- 適用于精密電路的風華1206薄膜電阻:TE06H系列薄膜電阻特性解析
- 長晶汽車數字晶體管AD-DTA、AD-DTC、AD-DTD三大系列產品優勢和應用解析
- 長晶雙極型通用類比較器LM393與LM339深度解析
- 長晶直流有刷驅動BDC產品CJDR911X系列介紹
- 抗硫化電阻選型漫談:國巨AF系列與幾個常見系列的橫向對比
- 長晶科技車規級功率TVS二極管陣列守護汽車電子安全
- 長晶功率器件IGBT模塊PIM系列產品技術解析
- 長晶汽車級晶體管AD-2SA、AD-2SB、AD-2SC、AD-2SD系列解析
- 長晶線性充電IC產品CJ40562系列與CJ4054系列為智能設備注入高效安全“芯”動力
- 0.1A負載電流的三端穩壓器:長晶科技CJ78LXX/CJ78LXXC/CJ78LXXE/CJ79LXX/CJ79LXXE系列詳解
替代LM258DR2G與LM258DT的高性能雙路運算放大器:友順科技LM358G
在工業電子設計與電源管理領域,運算放大器的性能和可靠性直接影響系統的穩定性。友順科技(UTC)推出的LM358G雙路運算放大器,憑借其卓越的電氣參數和寬泛的適應性,成為替代安森美(onsemi)LM258DR2G與意法(ST)LM258DT等同類型號運算放大器的理想選擇。從基本架構看,三者均為雙路運算放大器,LM358G 與 LM258DR2G、LM258DT 一樣,具備雙路獨立、高增益且內部頻率補償的特點,可適配單電源和分離式電源供電場景。
LM358G的核心優勢:
1.更寬電源電壓范圍
LM358G支持3V~32V單電源供電,兼容性強于ST的LM258DT(3V~30V),尤其適合需要高壓供電的工業場景(如電機驅動、電源監控)。
2.更高的共模抑制比
共模抑制比CMRR達到100dB(優于LM258DT/LM258DR2G的85dB),可顯著抑制共模噪聲,提升信號采集精度,適用于傳感器接口、醫療設備等對噪聲敏感的應用。
3.優化的輸入偏置電流
輸入偏置電流為250nA,雖高于安森美的45nA,但相比意法的300nA仍有一定優勢,且在多數通用場景中已足夠滿足需求。
4.寬溫適應性
工作溫度范圍(-20℃ ~ +85℃)覆蓋常見工業環境需求,而意法的LM258DT雖支持更寬溫度(-40℃ ~ +105℃),但LM358G在成本與性能間取得平衡。
封裝兼容性與設計靈活性:
LM358G采用SOP-8封裝,與LM258DT/LM258DR2G的SOIC-8封裝引腳定義兼容,僅需關注PCB焊盤尺寸差異即可實現直接替換,極大簡化了設計遷移流程。
| 參數 | LM358G (UTC 友順) | LM258DT (ST 意法半導體) | LM258DR2G (onsemi 安森美) |
|---|---|---|---|
| 放大器數 | 雙路 | 雙路 | 雙路 |
| 最大電源電壓 | 32V | 30V | 32V |
| 輸入失調電壓 (Vos) | 5mV | 5mV | 5mV |
| 壓擺率 (SR) | 600V/ms | 600V/ms | 600V/ms |
| 輸入偏置電流 | 250nA | 300nA | 45nA |
| 共模抑制比 (CMRR) | 100dB | 85dB | 85dB |
| 工作溫度范圍 | -20℃ ~ +85℃ | -40℃ ~ +105℃ | -25℃ ~ +85℃ |
| 單電源范圍 | 3V ~ 32V | 3V ~ 30V | 3V ~ 32V |
| 封裝 | SOP-8 | SOIC-8 | SOIC-8 |
應用場景推薦:
- 單電源供電系統:如電池供電設備、低功耗傳感器模塊。
- 高噪聲環境:憑借高CMRR特性,適用于工業自動化控制、電源管理電路。
- 通用信號調理:包括濾波、放大、電壓跟隨等基礎功能。
友順科技LM358G運算放大器在電源電壓范圍、噪聲抑制能力及成本效益方面表現突出,是替代安森美LM258DR2G與意法LM258DT等同類型號的高性價比方案。其參數均衡性、封裝兼容性以及UTC的穩定供應鏈支持,為工程師提供了可靠的替代選擇。
南山電子是UTC友順公司授權代理商,歡迎咨詢選購友順科技LM358G雙路運算放大器,如需產品詳情、選型指導或樣品申請,請聯系網站客服。











logo.png)













